第一百八十五章：N-漂移層

　　高能離子注入這是對現(xiàn)代化集成芯片的要求。

　　對于他來說，目前只要能將鋁離子注入到碳化硅晶體中形成一個(gè)過渡層就足夠了。

　　而且他用的技術(shù)也并非純正的離子注入，正如之前有彈幕說的。

　　他使用的是離子摻雜，而且是離子摻雜中的‘滲透摻雜法’。

　　因?yàn)樗种胁]有離子注入機(jī)這種高科技東西，但這種晶體管又離不開N-漂移層。

　　所以他只能想辦法進(jìn)行替代。

　　離子摻雜...